Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов силовой электроники, их конструктивные особенности, характеристики и специфика применения. Подробно рассмотрены электрические параметры и варианты конструкций силовых диодов, биполярных и полевых транзисторов, силовых интегральных схем. Даны основы базовых технологических процессов производства полупроводниковых приборов силовой электроники и приведены применяемые в них материалы. Содержание учебного пособия соответствует курсам лекций, которые авторы читают в МГТУ им. Н. Э. Баумана. Для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки специалистов 210600 «Радиоэлектронные системы и комплексы». Будет полезно аспирантам и инженерам, специализирующимся в данной области.
