В курсе лекций по дисциплине «Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения» рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками: изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении: дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем: особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения: одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства: численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства.
